Gør som tusindvis af andre bogelskere
Tilmeld dig nyhedsbrevet og få gode tilbud og inspiration til din næste læsning.
Ved tilmelding accepterer du vores persondatapolitik.Du kan altid afmelde dig igen.
Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
- Fabrication, Modeling and Applications
- Indbinding:
- Paperback
- Sideantal:
- 134
- Udgivet:
- 17. September 2016
- Udgave:
- 12014
- Størrelse:
- 235x155x8 mm.
- Vægt:
- 238 g.
Gratis fragt
Leveringstid:
2-3 uger
Forventet levering: 16. Juli 2024
Beskrivelse af Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM).
Brugerbedømmelser af Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor findes i følgende kategorier:
Du kan altid afmelde dig igen.
© 2024 Bogreolen.dk Esromgade 15, 3. | 2200 København N | Danmark | CVR: DK43351621
